產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI2319CDS-T1-GE3批號：20+封裝：SOT-23數量：30000QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI2319CDS-T1-GE3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT-23 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.4 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 77 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.2 V |
| Qg-柵極電荷： | 21 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.45 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 系列： | SI2 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.6 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 10 S |
| 下降時間： | 8 ns |
| 上升時間： | 9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 20 ns |
| 典型接通延遲時間： | 8 ns |
| 零件號別名： | SI2319CDS-GE3 |
| 單位重量： | 39 mg |
- 上一篇： VISHAY 場效應管 SI3443CDV-T1-GE3 MOS
- 下一篇： VISHAY 場效應管 SI2369DS-T1-GE3 MOSF
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。