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DIODES 場效應(yīng)管 ZXMN6A25KTC MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:ZXMN6A25KTC
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:通信IC
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-08-16 22:25:26
  • 瀏覽次數(shù):14
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1086條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-07-15
  • 最近登錄:2023-07-15
  • 聯(lián)系人:劉總
  • 電    話:19928755820

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:DIODES型號:ZXMN6A25KTC批號:20+封裝:TO-252-3數(shù)量:30000QQ:制造商:DiodesIncorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60VId-連續(xù)漏極電流:10

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES
型號:ZXMN6A25KTC
批號:20+
封裝:TO-252-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:10.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.11 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:2.39 mm
長度:6.73 mm
系列:ZXMN6A
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:6.22 mm
下降時間:10.6 ns
上升時間:4 ns
典型關(guān)閉延遲時間:26.2 ns
典型接通延遲時間:3.8 ns
單位重量:4 g
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