產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI4435DDY-T1-GE3批號：20+封裝：SOIC-8數量：30000QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：11
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI4435DDY-T1-GE3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 11.4 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 24 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 50 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SI4 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 23 S |
| 下降時間： | 12 ns |
| 上升時間： | 8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 45 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 零件號別名： | SI4435DDY-GE3 |
| 單位重量： | 187 mg |
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