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ST 場效應(yīng)管 STP4NK80Z MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:STP4NK80Z
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:通信IC
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-08-16 19:15:23
  • 瀏覽次數(shù):4
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1086條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-07-15
  • 最近登錄:2023-07-15
  • 聯(lián)系人:劉總
  • 電    話:19928755820
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:ST
型號:STP4NK80Z
批號:20+
封裝:TO-220-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續(xù)漏極電流:3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:22.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:9.15 mm
長度:10.4 mm
系列:STP4NK80Z
晶體管類型:1 N-Channel MOSFET
寬度:4.6 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值:2.9 S
下降時間:32 ns
上升時間:12 ns
典型關(guān)閉延遲時間:35 ns
典型接通延遲時間:13 ns
單位重量:1.438 g
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