碳化硅粉

由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的是將石英砂與焦炭混合，

利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，

加熱到2000°C左右高溫，經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。

例如，它所具有的性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，

它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。

制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：

金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。

在工業生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，

經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑，

制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。

高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是的碳化硅電爐，

其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：

電爐中心的通電發熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，

一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。該電爐所用的燒成俗稱：埋粉燒成。

它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），

爐料達到1450℃時開始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時形成），且放出CO。

然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的Si又會與爐料中的C生成SiC。

每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率，

大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，

再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。

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高溫煅燒后的爐料從外到內分別是：未反應料（在爐中起保溫作用）、

氧碳化硅（半反應料，主要成分是C與SiO)、粘結物層（是粘結很緊的物料層，

主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸鹽）、

無定形物層（主要成分是70%～90% SiC，而且是立方SiC 即 β-sic，

其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸鹽）、

二級品SiC層（主要成分是90%～95%SiC，該層已生成六方SiC，

但結晶體較小、很脆弱，不能作為磨料）、一級品SiC（(SiC含量<96%，而且是六方sic即口一sic的粗大結晶體）、

爐芯體石墨。在上述各層料中，通常將未反應料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集，

將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物、二級品、部分粘結物一起收集為回爐料，

而一些粘結很緊、塊度大、雜質多的粘結物則拋棄之。而一級品則經過分級、

粗碎、細碎、化學處理、干燥與篩分、磁選后就成為各種粒度的黑色或綠色的SiC顆粒。

要制成碳化硅微粉還要經過水選過程；要做成碳化硅制品還要經過成型與結燒的過程。

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