技術參數
| 品牌： | MACOM |
| 型號： | UF2840G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | MACOM |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 技術： | Si |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 65 V |
| 增益： | 10 dB |
| 輸出功率： | 40 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | 319-07 |
| 封裝： | Tray |
| 配置： | Single |
| 工作頻率： | 100 MHz to 500 MHz |
| 類型： | RF Power MOSFET |
| 商標： | MACOM |
| Pd-功率耗散： | 116 W |
| 產品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 20 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 6 V |
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