
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | NXP |
| 型號(hào): | MRF6S19100NBR1 |
| 批號(hào): | 20+ |
| 封裝: | |
| 數(shù)量: | 1000 |
| QQ: | |
| 對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況: | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) (MSL): | 3(168 小時(shí)) |
| 類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族: | 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 |
| 系列: | - |
| 晶體管類型: | LDMOS |
| 頻率: | 1.99GHz |
| 增益: | 14.5dB |
| 電壓 - 測(cè)試: | 28V |
| 額定電流(安培): | - |
| 噪聲系數(shù): | - |
| 電流 - 測(cè)試: | 950mA |
| 功率 - 輸出: | 22W |
| 電壓 - 額定: | 68V |
| 封裝/外殼: | TO-272BB |














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