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深圳市興華芯科技有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市興華芯科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> MRF8P20140WHSR3NXP 場(chǎng)效應(yīng)管 MRF8P20140WHSR3 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4

NXP 場(chǎng)效應(yīng)管 MRF8P20140WHSR3 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：MRF8P20140WHSR3
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類(lèi)別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-23 12:34:36
  • 瀏覽次數(shù)：3
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1083條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-08-09
  • 最近登錄：2023-08-09
  • 聯(lián)系人：顧先生
  • 電    話：15205529633
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：NXP
型號(hào)：MRF8P20140WHSR3
批號(hào)：20+
封裝：
數(shù)量：1000
QQ：
制造商：NXP
產(chǎn)品種類(lèi)：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：65 V
增益：16 dB
輸出功率：24 W
工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：NI-780S-4
配置：Single
工作頻率：1.88 GHz to 2.025 GHz
系列：MRF8P20140WH
Vgs - 柵極-源極電壓：10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.8 V
零件號(hào)別名：
單位重量：3.086 g
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