產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：AFT09MS007NT1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：400mV,30V增益：15
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | AFT09MS007NT1 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 400 mV, 30 V |
| 增益： | 15.2 dB |
| 輸出功率： | 7.3 W |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PLD-1.5 |
| 工作頻率： | 870 MHz |
| 濕度敏感性： | Yes |
| Pd-功率耗散： | 114 W |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, 12 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.1 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 280 mg |
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