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深圳市興華芯科技有限公司

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深圳市興華芯科技有限公司
當前位置：深圳市興華芯科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> MRF6V2150NR1NXP 場效應管 MRF6V2150NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 150W

NXP 場效應管 MRF6V2150NR1 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 VHV6 150W

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號：MRF6V2150NR1
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-08-23 13:53:48
  • 瀏覽次數(shù)：7
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1083條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-08-09
  • 最近登錄：2023-08-09
  • 聯(lián)系人：顧先生
  • 電    話：15205529633

產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：NXP
型號：MRF6V2150NR1
批號：20+
封裝：
數(shù)量：1000
QQ：
制造商：NXP
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：110 V
增益：25 dB
輸出功率：150 W
最小工作溫度：- 65 C
工作溫度：+ 150 C
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TO-270-4
配置：Single Dual Drain Dual Gate
高度：2.64 mm
長度：17.58 mm
工作頻率：220 MHz
系列：MRF6V2150N
寬度：9.07 mm
通道模式：Enhancement
濕度敏感性：Yes
Vgs - 柵極-源極電壓：- 0.5 V, 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.62 V
零件號別名：
單位重量：1.646 g
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