技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | NXP |
| 型號(hào)： | A3T21H456W23SR6 |
| 批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | |
| 數(shù)量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產(chǎn)品種類(lèi)： | 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | Dual N-Channel |
| 技術(shù)： | Si |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 1.6 A, 3.6 A |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | - 500 mV, 65 V |
| 增益： | 15.5 dB |
| 輸出功率： | 87 W |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | ACP-1230S-4L2S |
| 封裝： | Reel |
| 工作頻率： | 2110 MHz to 2200 MHz |
| 系列： | A3T21H456 |
| 類(lèi)型： | RF Power MOSFET |
| 商標(biāo)： | NXP Semiconductors |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| 產(chǎn)品類(lèi)型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量： | 150 |
| 子類(lèi)別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 0.8 V, 1.4 V |
| 零件號(hào)別名： |
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