產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：A2T23H200W23SR6批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：DualN-Channel技術：SiId-連續漏極電流：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | A2T23H200W23SR6 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | Dual N-Channel |
| 技術： | Si |
| Id-連續漏極電流： | 1.8 A |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | - 500 mV, 65 V |
| 增益： | 15.5 dB |
| 輸出功率： | 51 W |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | ACP-1230S-4 |
| 封裝： | Reel |
| 工作頻率： | 2300 MHz to 2400 MHz |
| 類型： | RF Power MOSFET |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 產品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 150 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.1 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 0.001 mg |
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