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深圳市興華芯科技有限公司

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CREE CGH35060F2 射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 60W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Flange

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：CGH35060F2
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-23 18:41:08
  • 瀏覽次數(shù)：6
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1083條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-08-09
  • 最近登錄：2023-08-09
  • 聯(lián)系人：顧先生
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產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：CREE型號(hào)：CGH35060F2批號(hào)：21+封裝：SMD數(shù)量：2000QQ：制造商：Cree,Inc

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：CREE
型號(hào)：CGH35060F2
批號(hào)：21+
封裝：SMD
數(shù)量：2000
QQ：
制造商：Cree, Inc.
產(chǎn)品種類：射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
晶體管類型：HEMT
技術(shù)：GaN
增益：12 dB
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：120 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 ：- 10 V, 2 V
Id-連續(xù)漏極電流：6 A
輸出功率：60 W
漏極/柵極電壓：-
最小工作溫度：- 40 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：57.6 W
安裝風(fēng)格：Flange Mount
封裝 / 箱體：440193
應(yīng)用：Radar
工作頻率：3.1 GHz to 3.5 GHz
商標(biāo)：Cree, Inc.
正向跨導(dǎo) - 最小值：-
產(chǎn)品類型：RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：50
子類別：Transistors
Vgs th-柵源極閾值電壓：- 3 V
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