產品簡介
技術參數品牌：DIODES/美臺型號：ZXMP6A18DN8TA封裝：SOIC-8_150mil批次：21+數量：6000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數量：2Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES/美臺 |
| 型號： | ZXMP6A18DN8TA |
| 封裝： | SOIC-8_150mil |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 55 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 23 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.1 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.5 mm |
| 長度： | 5 mm |
| 系列： | ZXMP6A18 |
| 晶體管類型： | 2 P-Channel |
| 寬度： | 4 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 8.7 S |
| 下降時間： | 23 ns |
| 上升時間： | 5.8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 55 ns |
| 典型接通延遲時間： | 4.6 ns |
| 單位重量： | 74 mg |
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