產品簡介
技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMN3135LVT-7封裝：TSOT-26批次：21+數量：6000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOT-26-6晶體管極性：N-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES/美臺 |
| 型號： | DMN3135LVT-7 |
| 封裝： | TSOT-26 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSOT-26-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 60 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.3 V |
| Qg-柵極電荷： | 4.1 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.27 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 系列： | DMN31 |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 下降時間： | 2.5 ns |
| 上升時間： | 4.6 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 13.1 ns |
| 典型接通延遲時間： | 2.6 ns |
| 單位重量： | 13 mg |
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