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IGBT的開關作用是通過加正向柵電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基電流，使IGBT導通。反之，加反向門電壓消除溝道，切斷基電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。



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