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整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣塑料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強(qiáng)散熱性能。

整流橋有多種方法可以用整流二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，包括半波整流、全波整流以及橋式整流等。整流橋，就是將橋式整流的四個(gè)二極管封裝在一起，只引出四個(gè)引腳。四個(gè)引腳中，兩個(gè)直流輸出端標(biāo)有+或－，兩個(gè)交流輸入端有～標(biāo)記。

在這兩個(gè)主要的散熱途徑中，由于自然冷卻散熱的換熱系數(shù)一般都比較小 lt;10W/ m2C），并且整流橋前后散熱面的面積也比較小，因此實(shí)際上通過(guò)該途徑的散熱量也是十分有限的；由于引腳銅板是直接與發(fā)熱元器件（二級(jí)管）相連接的，并且其材料為銅，導(dǎo)熱性能很好，所以在自然冷卻散熱的情況下，整流橋的大部分損耗是通過(guò)該引腳把熱量傳遞給PCB板，然后由PCB板擴(kuò)充其換熱面積而散發(fā)到周圍的環(huán)境中去。

整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的，在熱源（二極管）的正上方其表面溫度達(dá)到109 ℃，然而在整流橋的中間位置，遠(yuǎn)離熱源處卻只有75 ℃，其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4（其導(dǎo)熱系數(shù)小于3.0W/m.℃），因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí)，這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí)，對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌玫降慕Y(jié)果其離散性很差這一原因。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布。由該圖也可以進(jìn)一步說(shuō)明，在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4，所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻。我們以后在測(cè)量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時(shí)，應(yīng)著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對(duì)測(cè)量或測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生的影響。
我司主營(yíng)產(chǎn)品如下：
1、富士、英飛凌、三菱、西門(mén)康全系列IGBT產(chǎn)品；
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品；
3、富士、三菱、英飛凌、西門(mén)康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；
4、建準(zhǔn)全系列風(fēng)機(jī)；
5、CONCEPT及驅(qū)動(dòng)板；
6、富士通單片機(jī)及其它配套產(chǎn)品