技術參數
| 品牌： | AOS/萬代 |
| 型號： | AOB411L |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO-263 |
| 數量： | 20000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8A TO263 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 18 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-P-通道-60V-8A（Ta）-78A（Tc）-2.1W（Ta）-187W（Tc）-TO-263（D2Pak） |
| 數據列表： | AOB411L; |
| 標準包裝： | TO263 (D2PAK) Pkg Drawing; |
| 包裝： | 800 |
| 零件狀態： | 標準卷帶 |
| 類別： | 有源 |
| 產品族： | 分立半導體產品 |
| 系列： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 8A（Ta），78A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 16.5 毫歐 @ 20A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 100nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 6400pF @ 30V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2.1W（Ta），187W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | TO-263（D2Pak） |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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