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我們的太赫茲成像相機使用常規的光刻技術，在標準半導體周期中以GaAs高遷移率異質結結構制造探測器。成像傳感器在單個晶片上制造。該過程確保了等離子體檢測器參數的高度均勻性和可重復性（像素到像素的偏差響應度在20％的范圍內）。

每個檢測器單元的室溫響應率高達50 kV / W，具有讀出電路，在10 GHz到1 THz的頻率范圍內的等效噪聲功率為1 nW / √Hz。該檢測機制基于在二維電子系統中激發等離子體振蕩并進行隨后的整流。整流發生在電子系統中產生的特殊缺陷上。

這些太赫茲相機是有源檢測設備，需要外部THz源。我們提供基于IMPATT技術的太赫茲源。我們所有的TERA系列太赫茲成像相機都使用具有相同功能和空間分辨率的相同類型的探測器。我們的模型之間的差異在于其傳感器陣列中的像素數量及其有效成像區域。

*除了我們的標準THz攝像機型號外，我們還提供定制的解決方案，以滿足各種配置和幾何形狀要求。請聯系蘇州波弗光電科技有限公司獲取更多相關信息。