該設備包括帶有彎曲條紋的“C型"增益芯片。條紋傾斜的刻面專為外部反饋而設計，并具有深層 AR 涂層，從而使芯片波導的背反射極低。它確保了自激的阻斷，并消除了在外腔系統中操作時與復合腔相關的問題。這導致在整個調諧范圍內具有高邊模抑制比 (SMSR) 的非常精細的譜線。具有垂直條紋的刻面具有適當的反射率（通常在 5-15% 的范圍內），以同時提供寬波長調諧和高輸出功率。標準器件中這一方面的反射針對在外腔設置中的操作進行了優化，該設置為芯片提供了有效的反饋（約 50%）（如圖所示）。對于反饋較低的方案，我們建議使用在刻面上具有不同涂層的定制設備，以提供優化的反射。

設計外腔的技巧：

建議使用閃耀光柵，以盡量減少對其他反射階數的損耗；
對于與凹槽正交的偏振效率較高的光柵，建議使用λ/2板，以實現高波長分辨率和反射效率的結合。
注意：工作波長、刻面反射和其他參數可以針對特定應用和外腔系統設計進行優化。 我們知識淵博的應用團隊隨時準備根據您的需求和應用就解決方案提供咨詢和建議。 請聯系我們獲取定制解決方案。