1.半導體超聲波清洗機，是指半導體材料超聲波清洗機，硅材料清洗是其中常見的應用之一，硅片清洗對半導體工業的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術的飛速發展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。
20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎上發展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結構簡單、增益高、時間響應快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。它主要應用于各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的制作工藝周期長且復雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內污垢,產生發射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質量不穩定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術去除污染物十分重要。
2.半導體超聲波清洗機原理：聲波空化作用是指存在于液體中的微氣核空化泡在聲波的作用下振動，當聲壓達到一定值時發生的生長和崩潰的動力學過程,是超聲波以每秒兩萬次以上的壓縮力和減壓力交互性的高頻變換方式向液體進行透射。在減壓力作用時，液體中產生真空核群泡的現象，在壓縮力作用時，真空核群泡受壓力壓碎時產生強大的沖擊力，由此剝離被清洗物表面的污垢，從而達到精密洗凈目的。 在超聲波清洗過程中，肉眼能看見的泡并不是真空核群泡，而是空氣氣泡，它對空化作用產生抑制作用降低清洗效率。只有液體中的空氣氣泡被*脫走，空化作用的真空核群泡才能達到效果。空化作用一般包括3個階段：空化泡的形成、長大和劇烈的崩潰。當盛滿液體的容器通入超聲波后，由于液體振動而產生數以萬計的微小氣泡，即空化泡。這些氣泡在超聲波縱向傳播形成的負壓區生長，而在正壓區迅速閉合，從而在交替正負壓強下受到壓縮和拉伸。在氣泡被壓縮直至崩潰的一瞬間，會產生巨大的瞬時壓力，一般可高達幾十兆帕至上百兆帕。 Suslick等人測得：空化可使氣相反應區的溫度達到5 200 K左右，液相反應區的有效溫度達到1 900 K左右，局部壓力在5．O5× 10 kPa，溫度變化率高達10。K/s，并伴有強烈的沖擊波和時速達400 km 的微射流。這種巨大的瞬時壓力，可以使懸浮在液體中的固體表面受到急劇的破壞。通常將超聲波空化分為穩態空化和瞬間空化2種類型：穩態空化是指在聲強較低(一般小于10 w/cm )時產生的空化泡，其大小在其平衡尺寸附近振蕩，生成周期達數個循環。當擴大到使其自身共振頻率與聲波頻率相等時，發生聲場與氣泡的能量耦合，產生明顯的空化作用。瞬態空化則是指在較大的聲強(一般大于1O w/cm )作用下產生的生存周期較短的空化泡(大都發生在1個聲波周期內)。
3.半導體超聲波清洗機適用范圍：主要用于半導體材料的清洗，生產加工過程工序間或終端的清洗。
多晶硅超聲波清洗加工設備，可廣泛用于IC生產及半導體元器件生產中晶片的濕法化學工藝。該設備可有效去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。
爐前（RCA）清洗：擴散前清洗
光刻后清洗：除去光刻膠。
氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。
拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。
外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。
合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質及光膠殘渣。
離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。
擴散預淀積后清洗：除去預淀積時的BSG和PSG。
CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。
附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。
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