技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SI7121DN-T1-GE3 |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | POWERPA |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續漏極電流： | 18 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 26 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 50 nC |
| 最小工作溫度： | - 50 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 27.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.04 mm |
| 長度： | 3.3 mm |
| 寬度： | SI7121DN-GE3 |
| 零件號別名： | 1 g |
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