產品簡介
技術參數品牌：TI/德州儀器型號：CSD25213W10封裝：21+批次：DSBGA數量：5000制造商：TexasInstruments產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：DSBGA-4通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD25213W10 |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | DSBGA |
| 數量： | 5000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | DSBGA-4 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 1.6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 67 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 6 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 850 mV |
| Qg-柵極電荷： | 2.2 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | NexFET |
| 高度： | 0.62 mm |
| 長度： | 1 mm |
| 系列： | CSD25213W10 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 1 mm |
| 商標： | Texas Instruments |
| 下降時間： | 970 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 520 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 1 us |
| 典型接通延遲時間： | 510 ns |
| 單位重量： | 1.100 mg |
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