技術參數(shù)
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | BPW85C |
| 封裝： | 21+ |
| 批次： | DIP |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | Vishay |
| 產(chǎn)品種類： | 光電晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 產(chǎn)品： | Phototransistors |
| 封裝 / 箱體： | T-1 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 峰值波長： | 850 nm |
| 開啟狀態(tài)集電極電流： | 50 mA |
| 集電極—發(fā)射極電壓 VCEO： | 70 V |
| 集電極—射極擊穿電壓： | 70 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 0.3 V |
| 暗電流： | 200 nA |
| Pd-功率耗散： | 100 mW |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 100 C |
| 高度： | 4.5 mm |
| 長度： | 3.4 mm |
| 透鏡顏色/類型： | Clear |
| 類型： | Chip |
| 波長： | 850 nm |
| 寬度： | 3.4 mm |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 半強度角度： | 25 deg |
| 弱電流： | 8 mA |
| 產(chǎn)品類型： | Phototransistors |
| 工廠包裝數(shù)量： | 5000 |
| 子類別： | Optical Detectors and Sensors |
| 單位重量： | 219.777 mg |
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