產品簡介
技術參數品牌：ON型號：FDD306P批號：1920封裝：TO-252-3數量：27500QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：12VId-連續漏極電流：6
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | FDD306P |
| 批號： | 1920 |
| 封裝： | TO-252-3 |
| 數量： | 27500 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| Id-連續漏極電流： | 6.7 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 28 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FDD306P |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 下降時間： | 41 ns |
| 上升時間： | 8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 34 ns |
| 典型接通延遲時間： | 16 ns |
| 零件號別名： | FDD306P_NL |
| 單位重量： | 260.370 mg |
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