技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI4804CDY-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SO-8 |
| 數量： | 919 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Id-連續漏極電流： | 8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 22 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Qg-柵極電荷： | 23 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.1 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | TrenchFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.75 mm |
| 長度： | 4.9 mm |
| 系列： | SI4 |
| 寬度： | 3.9 mm |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 產品類型： | MOSFET |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 零件號別名： | SI4804CDY-GE3 |
| 單位重量： | 187 mg |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。