技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | AOS |
| 型號： | AO4407A |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | SOP8 |
| 數(shù)量： | 10000 |
| QQ： | |
| 不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 39nC@10V |
| 驅(qū)動電壓（RdsOn，最小RdsOn）： | 6V，20V |
| 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）： | 12A（Ta） |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| FET類型： | P溝道 |
| 系列： | - |
| 工作溫度： | -55°C~150°C（TJ） |
| 不同Id時的Vgs（th）（值）： | 3V@250µA |
| 漏源極電壓（Vdss）： | 30V |
| 零件狀態(tài)： | 在售 |
| 包裝： | 剪切帶（CT） ,帶卷（TR） |
| 制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期： | 16 周 |
| 濕氣敏感性等級（MSL）： | 1（無限） |
| 對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝： | 8-SOIC |
| 安裝類型： | 表面貼裝(SMT) |
| 不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）： | 11毫歐@12A，20V |
| 功率耗散（值）： | 3.1W（Ta） |
| FET功能： | - |
| 柵源電壓 Vgss： | ±25V |
| 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）： | 2600pF@15V |
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