技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | NTND31225CZTAG |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 6-XFLGA |
| 數(shù)量： | 160000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | XLLGA-6 |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 220 mA, 127 mA |
| Rds On-漏源導通電阻： | 800 mOhms, 2.1 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 400 mV, 1 V |
| Qg-柵極電荷： | - |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 125 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 系列： | NTND31225CZ |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 正向跨導 - 最小值： | 0.48 S, 0.35 S |
| 下降時間： | 80 ns, 171 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 25.5 ns, 71 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 8000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時間： | 142 ns, 280 ns |
| 典型接通延遲時間： | 16.5 ns, 37 ns |
| 單位重量： | 0.740 mg |
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