產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7913DN-T1-E3批號：2014封裝：QFN8數量：55000QQ：制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-1212-8晶體管極性：P-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：7
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7913DN-T1-E3 |
| 批號： | 2014 |
| 封裝： | QFN8 |
| 數量： | 55000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 7.4 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 37 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 400 mV |
| Qg-柵極電荷： | 24 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | TrenchFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.04 mm |
| 長度： | 3.3 mm |
| 系列： | SI7 |
| 晶體管類型： | 2 P-Channel |
| 寬度： | 3.3 mm |
| 商標： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導 - 最小值： | 20 S |
| 下降時間： | 150 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 70 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 72 ns |
| 典型接通延遲時間： | 20 ns |
| 零件號別名： | SI7913DN-E3 |
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