技術參數
| 品牌： | TI |
| 型號： | CSD19538Q3A |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | VSONP8 |
| 數量： | 55000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | VSONP-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 14.4 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 61 mOhms |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 3.2 V |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Qg-柵極電荷： | 4.3 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.8 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | NexFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 0.9 mm |
| 長度： | 3.15 mm |
| 系列： | CSD19538Q3A |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 3 mm |
| 商標： | Texas Instruments |
| 下降時間： | 2 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 3 ns |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 7 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5 ns |
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