產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI8402DB-T1-E1批號：2014封裝：BGA數量：55000QQ：制造商：VishaySiliconix系列：*FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：5.3A（Ta）不同Id、Vgs時導通電阻（值）：37毫歐@1A
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI8402DB-T1-E1 |
| 批號： | 2014 |
| 封裝： | BGA |
| 數量： | 55000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay Siliconix |
| 系列： | * |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 5.3A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 37 毫歐 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 4-Microfoot |
| 封裝/外殼： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 26 nC @ 4.5 V |
| 基本產品編號： | SI8402 |
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