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在光照下，如果光子的能量大于半導體禁帶寬度，其價帶上的電子（e-）就會被激發(fā)到導帶上，同時在價帶上產生空穴（h+）。當存在合適的俘獲劑、表面缺陷或者其他因素時，電子和空穴的復合得到抑制，就會在催化劑表面發(fā)生氧化還原反應。價帶空穴是良好的氧化劑，導帶電子是良好的還原劑，在半導體光催化反應中，一般與表面吸附的H2O、O2反應生成.OH和超氧離子O2-，能夠把各種有機物直接氧化成CO2和H2O等無機小分子，電子也具有強還原性，可以還原吸附在其表面的物質。激發(fā)態(tài)的導帶電子和價帶空穴能重新合并，并產生熱能或其他形式散發(fā)掉。

光催化的技術特征：

1）低溫深度反應

光催化氧化可以在室溫下將空氣中的有機污染物氧化。

2）綠色能源

光催化可利用太陽光作為能源來活化光催化劑，驅動氧化還原反應，而且光催化劑在反應中并不消耗。從能源角度而言，這一特征使光催化技術更具優(yōu)勢。

3）氧化性強

大量研究表明，半導體光催化具有氧化性強的特點，對臭氧難以氧化的某些有機物都能有效地加以分解。

4）壽命長

理論上，光催化劑的壽命是無限長的。

5）廣譜性

光催化對從烴到墻酸的眾多種類有機物都有氧化效果，美國環(huán)保署公布的九大類114中污染物均被證實可通過光催化氧化法降解。