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一、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaStar 100儀器介紹

1、腔體尺寸：直徑≥200mm，深度≥280mm；

2、腔體材質(zhì)：硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁矩形腔體；

3、處理腔背面材質(zhì)：鋁；

4、處理腔門：要求全自動(dòng)腔門；

5、兩路工藝氣體，≥2路質(zhì)量流量控制器控制氣體流量，氣體輸入腔室?guī)蛄髟O(shè)計(jì)；

6、射頻功率：0~600W連續(xù)可調(diào)，13.56MHz，自動(dòng)匹配，自然風(fēng)冷；

7、配備RIE平面水冷平板電極；

8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面；

9、程序控制：觸摸屏電腦控制，無(wú)線程序存儲(chǔ)；

10、Windows操作系統(tǒng)，兼容Windows office軟件，USB接口，可進(jìn)行外部電腦遠(yuǎn)程控制的功能；

11、狀態(tài)和出錯(cuò)信息提示，過(guò)程數(shù)據(jù)和出錯(cuò)信息存儲(chǔ)，可選擇自動(dòng)和手動(dòng)操作模式，過(guò)程數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出，工藝參數(shù)以圖形方式呈現(xiàn)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控，自動(dòng)實(shí)現(xiàn)泄露檢測(cè)；

12、配套緊急急停按鈕（EMO)，配套電路斷路器，機(jī)械聯(lián)鎖（門傳感器）和真空聯(lián)鎖（壓力開關(guān)），通過(guò)軟件可進(jìn)行遠(yuǎn)程的真空聯(lián)鎖；

13、典型的光刻膠刻蝕速率：80nm/min；

14、典型工藝均勻性：≥±10%；

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