產品簡介
技術參數(shù)品牌：ST/意法半導體型號：STP80NF70批次：22+數(shù)量：240000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：68VId-連續(xù)漏極電流：98ARdsOn-漏源導通電阻：9
詳情介紹
技術參數(shù)
| 品牌： | ST/意法半導體 |
| 型號： | STP80NF70 |
| 批次： | 22+ |
| 數(shù)量： | 240000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 68 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 98 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 9.8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 75 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 190 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STP80NF70 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 75 ns |
| 上升時間： | 60 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 90 ns |
| 典型接通延遲時間： | 17 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
- 上一篇： TSX-3225 26.0000MF18X-G CRYSTAL 26.0
- 下一篇： MURD620CTT4G ON/安森美
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。