技術參數(shù)
| 品牌： | ROHM/羅姆 |
| 型號： | QS6J11TR |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 原廠原封 |
| 數(shù)量： | 5500 |
| QQ： | |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-457T-6 |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 2 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 75 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Qg-柵極電荷： | nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 600 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 系列： | QS6J11 |
| 晶體管類型： | 2 P-Channel |
| 商標： | ROHM Semiconductor |
| 正向跨導 - 最小值： | 2 S |
| 下降時間： | 35 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 17 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 65 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 零件號別名： | QS6J11 |
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