產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRLML2502GTRPBF封裝：SOT23批次：2021+數量：6515制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：4.2A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRLML2502GTRPBF |
| 封裝： | SOT23 |
| 批次： | 2021+ |
| 數量： | 6515 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | （Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ， |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 45 毫歐 @ ， |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | （Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | Micro3™/SOT-23 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 12nC @ 5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 740pF @ 15V |
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