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FGH75T65UPD 場效應(yīng)管 FAIRCHILD 封裝TO247 批次2021+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:FGH75T65UPD
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-12-24 12:37:38
  • 瀏覽次數(shù):25
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1079條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2014-07-19
  • 最近登錄:2022-12-23
  • 聯(lián)系人:張先生
  • 電    話:15989331311
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:FAIRCHILD型號:FGH75T65UPD封裝:TO247批次:2021+數(shù)量:6515制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類:IGBT晶體管RoHS:是技術(shù):Si封裝/箱體:TO-247安裝風(fēng)格:ThroughHole配置:Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO:650V集電極—射極飽和電壓:2

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:FAIRCHILD
型號:FGH75T65UPD
封裝:TO247
批次:2021+
數(shù)量:6515
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-247
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓: V
柵極/發(fā)射極電壓:20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A
Pd-功率耗散:187 W
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
系列:FGH75T65UPD
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
柵極—射極漏泄電流:400 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:IGBTs
單位重量: g
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