晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：45V 集電極電流(Ic)：100mA 功率(Pd)：330mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：520@2mA,5V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-50℃~+150℃@(Tj)
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晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：45V 集電極電流(Ic)：100mA 功率(Pd)：330mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：650mV@100mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：520@2mA,5V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-50℃~+150℃@(Tj)
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