晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓(Vceo)：45V 集電極電流(Ic)：500mA 功率(Pd)：330mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征頻率(fT)：100MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj)
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晶體管類型：NPN集射極擊穿電壓(Vceo)：45V集電極電流(Ic)：500mA功率(Pd)：330mW集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic
晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓(Vceo)：45V 集電極電流(Ic)：500mA 功率(Pd)：330mW 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征頻率(fT)：100MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj)
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