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深圳市新啟創(chuàng)電子科技有限公司

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TI/德州儀器 場效應(yīng)管 CSD16301Q2 MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：CSD16301Q2
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：數(shù)據(jù)采集/數(shù)模轉(zhuǎn)換器
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2022-12-31 16:09:08
  • 瀏覽次數(shù)：10
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1069條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2017-09-01
  • 最近登錄：2022-12-31
  • 聯(lián)系人：胡先生
  • 電    話：13828773769
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：TI/德州儀器
型號：CSD16301Q2
批號：21+
封裝：WSON6
數(shù)量：82060
QQ：
制造商：Texas Instruments
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：WSON-6
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：25 V
Id-連續(xù)漏極電流：5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：900 mV
Qg-柵極電荷：2 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：15 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
高度： mm
長度：2 mm
系列：CSD16301Q2
晶體管類型：1 N-Channel Power MOSFET
寬度：2 mm
下降時間： ns
上升時間： ns
典型關(guān)閉延遲時間： ns
典型接通延遲時間： ns
單位重量： mg
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