通過幾年的發(fā)展，粉體技術(shù)已形成多種制備加工工藝。而長期以來，由于缺乏有效的精密手段，表面涂層技術(shù)是改善粉末理化性能的重要手段。常規(guī)的液相涂覆或氣相涂布方法不能準確地控制均勻性和厚度，制約了涂膜技術(shù)的進一步發(fā)展。氣相膜沉積技術(shù)(ALD)是一種自限化氣相沉積技術(shù)，它通過將目標反應(yīng)分解為一些半反應(yīng)，從而控制氣相表面涂層的原子層厚。原子層沉積設(shè)備的涂層具有普通、無針孔、均勻性好的特點，對于復(fù)雜的表面界面和高縱深比樣品有較好的沉積效果。

采用多種涂覆技術(shù)控制涂層厚度及粒度。

用原子層沉積設(shè)備的薄膜更為均勻。

  平板ALD技術(shù)自20世紀90年代在半導(dǎo)體工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用以來，它的應(yīng)用日趨成熟，形成了多種ALD技術(shù)。長久以來，采用ALD技術(shù)實現(xiàn)粉體覆蓋是工業(yè)難題。超高比表面積粉末材料的使用決定了前驅(qū)體的使用將增大幾何級，每個周期周期將較長。所以，前驅(qū)體注入系統(tǒng)需要實現(xiàn)較大數(shù)量的前驅(qū)體精確注入，這對空腔設(shè)計提出了更高的要求。原子層沉積設(shè)備的空腔設(shè)計主要是促進前驅(qū)體擴散，提高加工效率，所以腔設(shè)計盡量小，不利于粉末樣品與前驅(qū)體接觸。

  原子層沉積設(shè)備可用于納米至微米的粉體，實現(xiàn)單原子層向納米層的覆蓋，是一種理想的覆蓋方式。通過科研人員的不斷努力，ALD覆蓋粉體材料技術(shù)日趨成熟?，F(xiàn)商用方案有：流化床，旋轉(zhuǎn)床，振動床。利用原子層沉積技術(shù)實現(xiàn)高質(zhì)量的粉體覆蓋。

  采用原子層沉積設(shè)備進行粉化處理會產(chǎn)生優(yōu)良的覆蓋效果。