深圳市鼎諾興電子有限公司
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技術參數品牌：NXP型號：MRFE6VP5600HR5封裝：SMT批次：2019數量：47制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：130V增益：25dB輸出功率：600W工作溫度：+150C安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：NI-1230配置：Dual工作頻率：1
| 品牌： | NXP |
| 型號： | MRFE6VP5600HR5 |
| 封裝： | SMT |
| 批次： | 2019 |
| 數量： | 47 |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 130 V |
| 增益： | 25 dB |
| 輸出功率： | 600 W |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-1230 |
| 配置： | Dual |
| 工作頻率： | MHz to 600 MHz |
| 系列： | MRFE6VP5600 |
| Pd-功率耗散： | kW |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | g |
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