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深圳市鼎諾興電子有限公司

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場(chǎng)效應(yīng)管 FDN358P

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：FDN358P
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：礦用防爆
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-02-20 08:49:49
  • 瀏覽次數(shù)：7
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1140條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2017-03-16
  • 最近登錄：2023-02-19
  • 聯(lián)系人：黃小姐
  • 電    話：13480680216
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON型號(hào)：FDN358P封裝：SOT23批次：20+數(shù)量：9000類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號(hào)：FDN358P
封裝：SOT23
批次：20+
數(shù)量：9000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商：onsemi
系列：PowerTrench®
FET 類型：P 通道
漏源電壓（Vdss）：30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）：，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：125 毫歐 @ ，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）： nC @ 10 V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）：182 pF @ 15 V
功率耗散（值）：500mW（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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