技術參數
| 品牌： | Qorvo |
| 型號： | QPD2795 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Qorvo |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管類型： | HEMT |
| 技術： | GaN SiC |
| 增益： | 22 dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 48 V |
| Id-連續漏極電流： | 360 mA |
| 輸出功率： | 364 W |
| 漏極/柵極電壓： | 55 V |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 85 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI780-2 |
| 封裝： | Waffle |
| 配置： | Dual |
| 工作頻率： | GHz to GHz |
| 工作溫度范圍： | - 40 C to + 85 C |
| 系列： | QPD |
| 商標： | Qorvo |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 250 |
| 子類別： | Transistors |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | - V |
| 零件號別名： | 1130777 |
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