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當前位置：成都宏芯微科技有限公司>>場效應(yīng)管>>其他場效應(yīng)管>> QPD1018QPD1018 Transistor RF GaN GaAs FET 放大器 功放 功率放大器PA 雷達 衛(wèi)星 導(dǎo)航 航空 航天 定制 5G 微波芯片 微波射頻器件 CRE

QPD1018 Transistor RF GaN GaAs FET 放大器 功放 功率放大器PA 雷達 衛(wèi)星 導(dǎo)航 航空 航天 定制 5G 微波芯片 微波射頻器件 CRE

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號：QPD1018
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他場效應(yīng)管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-07 09:37:15
  • 瀏覽次數(shù)：3
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：994條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-06
  • 最近登錄：2023-06-06
  • 聯(lián)系人：余洪
  • 電    話：13348852772
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Qorvo型號：QPD1018批號：18+封裝：SMD數(shù)量：2000QQ：制造商：Qorvo產(chǎn)品種類：射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是晶體管類型：HEMT技術(shù)：GaNSiC增益：17

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Qorvo
型號：QPD1018
批號：18+
封裝：SMD
數(shù)量：2000
QQ：
制造商：Qorvo
產(chǎn)品種類：射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS：是
晶體管類型：HEMT
技術(shù)：GaN SiC
增益： dB
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：145 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 ：- 7 V to 2 V
Id-連續(xù)漏極電流：15 A
漏極/柵極電壓：55 V
最小工作溫度：- 40 C
工作溫度：+ 85 C
Pd-功率耗散：522 W
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體： mm x 24 mm x mm
配置：Single
工作頻率： GHz to GHz
商標：Qorvo
開發(fā)套件：QPD1018EVB
濕度敏感性：Yes
產(chǎn)品類型：RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：18
子類別：Transistors
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