技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ST |
| 型號： | STB12NM50ND |
| 封裝： | TO-263-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 3000 |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-500V-11A（Tc）-100W（Tc）-D2PAK |
| 數(shù)據(jù)列表： | STx12NM50ND; |
| 標準包裝： | 1,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 停產(chǎn) |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | FDmesh™ II |
| 其它名稱： | 497-10026-2 |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 500V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 11A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值）： | 380 毫歐 @ ，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 30nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±25V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 850pF @ 50V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 100W（Tc） |
| 工作溫度： | 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | D2PAK |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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