技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | VNP35N07-E |
| 封裝： | TO-220-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 150 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Id-連續漏極電流： | 35 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 28 mOhms |
| Qg-柵極電荷： | 100 nC |
| Pd-功率耗散： | 40 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 系列： | VNP35N07-E |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET |
| 正向跨導 - 最小值： | 25 S |
| 下降時間： | 200 ns, us |
| 上升時間： | 350 ns, us |
| 典型關閉延遲時間： | 650 ns, 10 us |
| 典型接通延遲時間： | 100 ns, 500 us |
| 單位重量： | 330 mg |
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