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碳化硅(SiC) [1] 是共價鍵很強的化合物，其Si--C鍵的離子型僅12%左右，

因此，它也具有優(yōu)良的力學性能、優(yōu)良的抗氧化性、

高的抗磨損性以及低的摩擦系數(shù)等。碳化硅的特點是高溫強度高

，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時強度將降低，

而碳化硅在1400攝氏度時抗彎強度仍保持在500 ~600MPa的較高水平

，因此其工作溫度可達1600 ~ 1700攝氏度。

再加上碳化硅陶瓷的熱傳導能力也較高，

在陶瓷中僅次于氧化鈹陶瓷，

因此碳化硅已經(jīng)應用于高溫軸承、

板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻范圍的電子設備零部件等領域。

稀土氧化物如Y2O，

同樣可以作為碳化硅陶瓷的燒結(jié)助劑，

通過液相燒結(jié)的途徑獲得致密的碳化硅。

由于其液相燒結(jié)是通過玻璃相的形成來降低孔隙率，

提高致密度的，因此，玻璃相的特性對燒結(jié)所得微觀結(jié)構影響很大。

性能編輯 語音

具有優(yōu)良的力學性能、優(yōu)良的抗氧化性、

高的抗磨損性以及低的摩擦系數(shù)等。

SiC陶瓷的缺點是斷裂韌性較低，即脆性較大，

為此，以SiC陶瓷為基的復相陶瓷，

如纖維(或晶須)補強、異相顆粒彌散強化、

以及梯度功能材料相繼出現(xiàn)，改善了單體材料的韌性和強度