產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：DMPH6050SK3-13批號：2021+封裝：TO-252數量：87860QQ：制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFET安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：23
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMPH6050SK3-13 |
| 批號： | 2021+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 87860 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 50 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 25 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 下降時間： | ns |
| 上升時間： | ns |
| 典型關閉延遲時間： | ns |
| 典型接通延遲時間： | ns |
| 單位重量： | 340 mg |
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