技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON |
| 型號(hào)： | FDT86102LZ |
| 批號(hào)： | 2021+ |
| 封裝： | SOT-223 |
| 數(shù)量： | 87890 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-223-4 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 6.6 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 28 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 25 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.8 mm |
| 長(zhǎng)度： | 6.5 mm |
| 系列： | FDT86102LZ |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 3.5 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 26 S |
| 單位重量： | 112 mg |
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